金融界2025年8月15日消息，国家知识产权局信息显示，昆山清元电子科技有限公司申请一项名为“一种以磁控溅射法制作多层介电陶瓷电容器的方法”的专利，公开号CN120485714A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明涉及电子元器件制造领域，公开了一种以磁控溅射法制作多层介电陶瓷电容器的方法，包括以下步骤：对基板进行清洁和预处理；采用磁控溅射法沉积界面过渡层；通过梯度设计依次沉积底层、中间层和顶层的介电陶瓷层，并结合激光辅助溅镀技术沉积石墨烯‑铜复合材料内部电极层；重复上述沉积步骤，形成多层结构；随后进行快速热处理以优化薄膜的结晶质量和界面结合力；最终完成切割、端银封装及电性能测试。本发明通过梯度设计优化介电性能和耐压性能，复合电极材料显著提高导电性并降低成本，同时利用激光辅助溅镀和快速热处理工艺提升了薄膜的致密性和界面结合质量。
天眼查资料显示，昆山清元电子科技有限公司，成立于2024年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，昆山清元电子科技有限公司参与招投标项目1次，专利信息23条，此外企业还拥有行政许可2个。
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